鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件完全集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。應(yīng)用領(lǐng)域：鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制，以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過程在MHz的操作速度下，單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)...

鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件完全集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。

應(yīng)用領(lǐng)域：
鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)
生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制，以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過程
在MHz的操作速度下，單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)

優(yōu)點(diǎn)：
生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化
在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試
適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)
從模擬測(cè)試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
客戶可定制測(cè)試環(huán)境
升級(jí)服務(wù)
客戶支持

程序功能：
可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線、PUND脈沖測(cè)試等測(cè)試過程。
上升時(shí)間最低可實(shí)現(xiàn)1μm，自定義的測(cè)試脈沖可以用于測(cè)試不同類型的失效機(jī)制。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測(cè)試序列里單獨(dú)設(shè)置。
可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測(cè)試。
這些測(cè)試是基于獨(dú)有的專利技術(shù)：原位寄生電容補(bǔ)償。

特點(diǎn)：
FeRAM測(cè)試儀是用來記錄全面的測(cè)試單元電滯回線的，測(cè)試儀生成所需要的時(shí)間。
如果芯片的布局發(fā)生變化，可以自動(dòng)獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測(cè)試儀是用一個(gè)開關(guān)盒和一個(gè)探針臺(tái)工作的。軟件可以自動(dòng)調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。
參數(shù)的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測(cè)試儀最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以使重要信息流程化，從而提高產(chǎn)量，降低了成本，從而減少了產(chǎn)品上市的時(shí)間。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實(shí)驗(yàn)提供了重要信息。
FeRAM測(cè)試儀擁有高分辨測(cè)量和速度到微秒的測(cè)量功能。

 

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