SFB100A3半導(dǎo)體四探針電阻率測量儀_薄膜方阻測試儀功能簡介：
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。
半導(dǎo)體四探針電阻率測量儀的電阻測量范圍可達(dá)10^-5—10⁵Ω。
半導(dǎo)體四探針電阻率測量儀是由電壓電流源以及四探針樣品平臺二臺儀器構(gòu)成。
直流電壓電流源。
薄膜方阻測試儀參數(shù)：
直流電流源
電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
量     程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
量       程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表：（4?LED）利用電壓源部分“取樣”端可對被測電壓進(jìn)行測試
測量量程：20mV，200mV，2V，20V，200V
高分辨力： 可達(dá)1μV
基本誤差為： 0.03%RD±0.02%FS   （20±2oC）
四探針樣品平臺
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。