MOS電容CV特性測試實驗平臺主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上，內置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;

武漢普賽斯儀表自主研發的臺式數字源表、插卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測試系統等，填補國產空白。主要應用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構建自定解決方案。為半導體封測廠家提供相關測試儀表、測試平臺，以及相關技術服務，滿足行業對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰。

武漢普賽斯將以服務客戶為中心，追求可持續發展，精益求精，堅持不懈，努力將自身打造成行業標桿。

普賽斯儀表www.whpssins.com

武漢普賽斯電子技術有限公司是一家高科技企業，專業研究和開發光通信器件產線監測和測試方案和自動化測試設備。產品覆蓋CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收發模塊、BOB等生產線。客戶包括：華為、海思、中興、光迅、海信、正源光子、旭創等，公司旨在為光電器件生產企業提供服務，針對產線生產的痛點問題，模擬現實應用環境，進行半導體光器件性能指標生產監測和測試，實現產品生產過程實時可監控、可追溯。具有綜合性、完備性、穩定性、半自動化或自動化等特點，從而提高用戶產線產品的生產效率、可靠性、穩定性、一致性。

 

概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。

MOS電容CV特性測試實驗平臺

普賽斯半導體功率器件C-V測試系統主要由源表、LCR 表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。

 

進行C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

系統優勢

• 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點可調；

• 高精度、大動態范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

• 內置CV測試：內置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能;

• 兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

• 實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線，便于監控；

• 擴展性強：系統采用模塊化設計，可根據需求靈活搭配；

  基本參數

典型配置

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