NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去

那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸，香港，臺灣和澳門)的客戶，同時我們在中國大陸設(shè)有專門的服務(wù)辦公室，提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。 那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國，該公司是法國那諾-馬斯特有限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司，是一家的缺陷檢測和高速鍍層測量的計量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式名。 自2001年Nano-Master開始設(shè)計開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全球薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點實驗室。 我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)工程師、技術(shù)支持人員，使得公司擁有的服務(wù)團隊。作為薄膜工藝的設(shè)備提供商，我們的目標(biāo)是提供高品質(zhì)的服務(wù)并始終維持高水平的集成度。

NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER的NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度。

NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：

• 14.5”不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6”水冷樣品臺

• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進電機

• 步進電機控制晶圓片傾斜

• 自動上下載晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護

• 完整的安全聯(lián)鎖

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